IGBT模塊的原理和量測(cè)及判斷 
      在拆機(jī)前，可對(duì)模塊的好壞進(jìn)行大致的量測(cè)，來進(jìn)行初步的判斷。以上圖為例：4、5、6端子即為變頻器的U、V、W輸出端，22、24分別為變頻器內(nèi)部直流主電路的P（+）端和N（-）端。找到這5個(gè)端子后，用數(shù)字或指針式萬(wàn)用表都可以量測(cè)了。U、V、W三端子都對(duì)P、N端子有正、反向電阻。在IGBT管子正常的情況下，管子C、E之間電阻是無(wú)窮大的。只能測(cè)出管子上并聯(lián)的6只二極管的正、反向電阻。如果把4、5、6端子看成三相交流輸入端的話，六只二極管相當(dāng)于一個(gè)三相整流橋電路，用量測(cè)和判斷三相整流橋的方法就可以了。
一、在線量測(cè)：
1、量測(cè)這個(gè)“三相整流橋”不正常了，則為模塊損壞了；
2、量測(cè)這個(gè)“三相整流橋”是正常的，還不能確定模塊就是好的。應(yīng)打開變頻器的主電路板，進(jìn)行進(jìn)一步的量測(cè)和驗(yàn)定。即量測(cè)觸發(fā)端子及內(nèi)電路是否正常。因觸發(fā)端子上往往并聯(lián)了10k（大功率機(jī)型并聯(lián)3k）左右的電阻，所以觸發(fā)端子的正反向在線在阻都應(yīng)為所并聯(lián)電阻的阻值。這6個(gè)觸發(fā)端子的阻值都應(yīng)是一樣的。如某一路觸發(fā)端子有了正反向電阻的差異，或是有電阻變小的現(xiàn)象，排除驅(qū)動(dòng)電路的故障后，則是此模塊已損壞了。
3、觸發(fā)端子的電阻量測(cè)也正常了，一般情況下認(rèn)為模塊基本上是好的。但此時(shí)宣布模塊絕無(wú)問題，似乎尚為時(shí)過早。見后敘。
二、脫機(jī)量測(cè)：
1、此法常用于大功率單、雙模塊和新購(gòu)進(jìn)集成式模塊的的量測(cè)。
將單、雙管模塊脫開電路后（或?yàn)樾沦?gòu)進(jìn)的模塊），可采用量測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管子（MOSFET）方法來測(cè)試了。MOSFET的柵陰極間有一個(gè)結(jié)電容的存在，故由此決定了極高的輸入阻抗和電荷保持功能。可利用此一特點(diǎn)有效地檢測(cè)IGBT管子的好壞。
方法是：將指針式萬(wàn)用表打到x10k檔，黑表接C極，紅表筆接E極，此時(shí)所量測(cè)電阻值近乎無(wú)窮大；搭好表筆不動(dòng)，用手指將C極與G極碰一下并拿開，指示由無(wú)窮大阻值降為200k左右；過幾十秒鐘甚至于更長(zhǎng)一點(diǎn)的時(shí)間，再測(cè)一下C、E間電阻（仍是黑表筆接C極），仍能保護(hù)200k左右的電阻不變；搭好表筆不動(dòng)，用手指短接一下G、E極，C、E極之間的電阻又重新變?yōu)榻咏鼰o(wú)窮大。
（當(dāng)然，E極搭黑筆，C極搭紅筆，是一只二極管的正向電阻的阻值了。如呈開路狀態(tài)，說明IGBT管子也是壞的了。以下將此一量測(cè)過程略去。）
實(shí)際上，用手指碰一下C、G，是給柵、陰結(jié)電容充電，拿開手指后，因此電容無(wú)放電回路，故電容上的電荷能保持一段時(shí)間。此電容上的充電電壓，為正向激勵(lì)電壓，使IGBT管子出現(xiàn)微導(dǎo)通，C、E之間的電阻減??；**次用手指短接G、E時(shí)，提供了電容的放電通路，隨著電荷的泄放，IGBT的激勵(lì)電壓消失，管子變?yōu)榻刂?，C、E之間的電阻又趨于無(wú)窮大。
手指相當(dāng)于一只阻值為kΩ級(jí)的電阻，提供柵陰極結(jié)電容充、放電的通路；因IGBT管子的導(dǎo)通需較高的正向激勵(lì)電壓（10V以上），所以用萬(wàn)表的x10k檔，此檔位內(nèi)部電池供電為9V或12V，以滿足IGBT管子激勵(lì)電壓的幅度。
      對(duì)觸發(fā)端子的量測(cè)，還可以配合電容表測(cè)其容量，以增加判斷的準(zhǔn)確度。往往功率容量大的模塊，兩端子間的電容值也稍大。